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菲利普有点懵……
说起第三代半导体材料，后世很多人应该能脱口而出……碳化硅和氮化镓。
两个东西，其实都不是新鲜玩意。
碳化硅于1824年，在人工合成金刚石的实验中被意外发现。1890年老美的爱德华·古德里奇·艾奇逊，通过高温电容法实现了系统性合成。
氮化镓要晚一些，1928年首次实现了人工合成。1932年老美的 Jones 实验室优化高温反应法，更新了系统的合成路径。
1969年小日子利用氢化物气相外延技术，在蓝宝石衬底上生长出了氮化镓单晶薄膜，为光电器件应用奠定基础。
但是，在漫长的近代科研史上，人工合成的东西多了。发现一种新的物质，并不能很快的系统性的发掘其用途……
说回半导体材料，第一代硅和锗在十九世纪上半叶和中后期，就被发现了半导体特性。直到二十世纪中，电子特性和实用化基础才被确定。
后来热稳定太差的锗被淘汰，剩下了众所周知的硅。
砷化镓和磷化铟同样很早就被发现了，但直到七十年代才从众多备选材料中被甄选出来，确定为第二代半导体材料。
时间进入八十年代后，随着高速通信、射频器件、激光器和GPS导航的发展，才逐渐被大规模应用。
至于第三代半导体材料，眼下这个时间节点不是没人研究。
但面对多如牛毛的备选材料和还并不确定的应用需求，需要海量的投入和时间，在九十年代才得到确定，两千年后实现产业化应用。
现在某个挂博一，要拿着答案反推过程，把十几年后的事提前干了。
当然，他可以“发挥”的项目多了。选第三代半导体材料作伐，是有明确目的性的。
有心在卫星领域掺和一脚嘛，宽禁带，耐高温、高频、高功率的碳化硅很重要。
至于氮化镓……是不是想到了快充和有源相控阵？
嘿~那俩玩意不着急。
之前不跟梅老二吹牛博一嘛，说这辈子至少拿三个诺贝尔。
虽然还年轻，不着急。
但诺贝尔那鸟玩意，不是即有成绩即发的，需要漫长的评定过程，甚至还需要排队。
等个几十年才轮上都有可能。
所以，得早做准备。
遇到合适的机会，就先拿出个一两样，慢慢排着吧……
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